倒装芯擎®FC-Elite 高密度微凸点倒装芯片解决方案

倒装芯擎®FC-Elite 高密度微凸点倒装芯片解决方案

以亚微米凸点与精密重布线技术,实现高速、高功率、高可靠的三维系统级封装核心
倒装芯擎®FC-Elite 采用业界领先的25 µm-pitch Cu-Cu微凸点阵列与RDL重布线工艺,在紧凑封装内实现>10 k I/O、0.8 pJ/bit 超低能耗互连,同时提供>150 A 低阻抗供电通道。器件通过AEC-Q100 Grade 1、JEDEC JESD22可靠性验证,支持2.5D/3D异构集成、Chiplet-on-Substrate 以及高密度SiP模组,广泛服务于AI加速、5G基站、汽车雷达及高端FPGA。
YCHIPWAY
产品尺寸:典型芯片面积 5 mm × 5 mm(可向下兼容至 2 mm × 2 mm,向上支持至 15 mm × 15 mm)
应用领域:面向智能手机、可穿戴设备、AR/VR 等移动终端的高性能 SoC 与存储器先进封装
详细介绍

产品概述
倒装芯擎®FC-Elite 基于倒装芯片(Flipchip)核心技术,将裸片正面朝下通过微凸点直接键合到封装基板或硅中介层,颠覆传统引线键合的电气与热学瓶颈。独有的UltraBump™微凸点配方与NanoVia™ TSV/RDL 协同设计,使芯片到封装路径缩短>70%,互连密度提升5×,寄生电感<0.1 nH,为高频信号完整性与大电流动态响应提供坚实保障。产品支持12’’ 晶圆级量产,兼容Cu Pillar、Sn-Ag、Ni-Au 等多种凸点材料,可按客户PI/BCB 或ABF/Build-up 基板定制。

产品应用
• AI/ML 训练与推理加速卡(GPU/ASIC/Chiplet 互连)
• 5G NR 基站射频前端、毫米波相控阵模组
• 车载高算力域控制器、LiDAR 与77 GHz 雷达SoC
• 高端FPGA、网络交换芯片、HBM3/3E 2.5D封装
• 医疗影像、工业视觉与航空航天高可靠SiP

技术特性

  1. 微凸点阵列:25–40 µm pitch,Cu-Cu 直接键合,剪切强度>7 g/bump

  2. 重布线层(RDL):线宽/线距 2/2 µm,层数≤6,支持L/S 1/1 µm 工艺节点

  3. 电源完整性:超低DCR 电源路径<0.2 mΩ,瞬态响应<5 mV(20 A step)

  4. 信号完整性:插入损耗<-1 dB @ 56 Gbps NRZ,<-2 dB @ 112 Gbps PAM4

  5. 热管理:集成高热导率TIM,芯片-基板热阻<0.15 °C/W,支持液冷散热方案

  6. 可靠性:-55 °C~150 °C 温循1000次、UHAST 96 h、HTOL 1000 h 零失效

  7. 生产兼容:12’’ 晶圆级FC-BGA、FC-CSP、FC-LGA、2.5D/3D SiP 一站式代工

  8. 绿色合规:符合RoHS/REACH、无卤素,满足车规IATF 16949 质量体系要求

面向下一代计算的Chiplet异构集成一站式解决方案
UltraVia™:面向先进封装的硅通孔3D矩阵互连系统
FanoCore™ Ultra-HD Fan-Out WLP – 面向2.5D/3D异构集成的下一代扇出型晶圆级封装解决方案
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