产品概述
SiPlex™ 采用“Design-For-SiP”协同设计流程,把传统板级系统压缩到 10 mm×10 mm 封装体内。核心工艺包含:
• 超高密度 RDL(2 µm L/S)与微凸点 30 µm pitch;
• 2.5D 硅中介层 / 3D TSV 垂直互连;
• 多温区共烧基板(ABF+BT 混合)保障 260 °C 无铅回流;
• 内置 EMI 屏蔽层与天线集成,支持毫米波 AiP;
• 完整的信号完整性、电源完整性、热-机械协同仿真平台。
产品应用
• 5G/6G 智能手机射频前端模组(FEMiD、PAMiD)
• AR/VR 一体机的感算存融合 SiP
• 车载高可靠域控制器(ASIL-D)
• 医疗植入式神经刺激器超低功耗 SiP
技术特性
异构兼容:支持逻辑(5 nm)、射频(28 nm)、存储(LPDDR5/6)、MEMS、光传感裸 Die 混载。
极致微缩:封装密度 ≥ 1000 I/O/mm²,系统体积缩减 70 %,互连损耗 < 0.2 dB/mm@28 GHz。
高可靠:通过 AEC-Q100 Grade 1、MIL-STD-883 机械冲击与 1000 h 高温高湿验证;结温 150 °C 下 MTTF > 10 kh。