FanoCore™ 超高密度扇出型晶圆级封装平台

产品概述
FanoCore™ 平台通过将芯片先嵌入模塑料重构晶圆，再于晶圆表面制作多层精细 RDL，实现 I/O 扇出而不需传统载板。平台兼容 40 mm × 40 mm 以下封装尺寸，支持 2/3/4 层 RDL 堆栈与背面 RDL 工艺，可在同一重构片上完成多芯片、无源器件、硅电容及 TSV-less 高频互连，实现“晶圆级封装 + 2.5D 性能”的融合。

产品应用
• 移动与可穿戴：旗舰 AP、PMIC、RF FEM 模组
• 高性能计算：GPU/CPU + HBM 合封、Chiplet 异构 SoC
• 汽车电子：77 GHz 雷达 SoC、车载 AI 加速器
• 射频与毫米波：AiP 天线模组、5G/6G 基站收发器

技术特性

1. 超高密度 RDL：2 µm/2 µm L/S，12 µm 微凸点节距，支持 8,000+ I/O

2. 低翘曲控制：应力平衡叠构 + 模塑料配方，翘曲 < 80 µm@300 mm

3. 热/电协同设计：> 200 W 热设计功耗路径，RDL 铜厚 8 µm 降低 IR Drop

4. 可靠性等级：通过 JEDEC J-STD-020 MSL-3、-55 °C ~ 150 °C 1,000 次 TC、uHAST 96 h

5. 制造规模：12 英寸量产线，月产能 > 60 k 片，良率 > 98 %

6. 兼容 UCIe/BoW 接口：可无缝集成 Chiplet 生态，支持 Die-to-Die < 0.5 pJ/bit

FanoCore™ 以晶圆级精度赋能系统级创新，为客户在尺寸、性能、成本与可靠性之间提供最优折中。